特許
J-GLOBAL ID：201303092803042101

半導体装置とその製造方法

発明者：
張簡 旭珂

張簡 旭珂 について

, 
陳 科維

陳 科維 について

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王 英郎

王 英郎 について


出願人/特許権者：
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司

台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (2件)： 田澤 英昭 ,  濱田 初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-016405
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157605
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】イメージセンサーの改善された反射性光学格子からなる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】イメージセンサーの改善された反射性光学格子からなる半導体装置及びその製造方法を提供する。一態様において、裏面照射CIS装置は、画素アレイ領域を有し、半導体基板の前側表面に形成される複数の光検出器を含み、各光検出器が、画素アレイ領域中に画素を形成する半導体基板と、半導体基板の裏側表面上に設置され、パターン化されて、光学格子を形成し、画素アレイ領域中の各画素を包囲し、半導体基板上方に延伸し、光学格子が、側壁と頂部を有する光学格子材料、および、光学格子上に形成され、純度が少なくとも99%の金属の純金属コーティング、および、2.0より大きい屈折率の純金属コーティング上にコーティングされる高誘電率材料を含む高反射コーティングを含む。同製造方法も開示される。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の背面の画素アレイ領域上に材料層を形成する工程と、 フォトリソグラフィー工程を用いて前記材料層をパターン化して、前記画素アレイ領域上方に位置し、且つ、前記画素アレイ領域の各セクション中の画素センサーを包囲する光学格子を形成する工程と、 純度が少なくとも99%の純金属を前記光学格子に蒸着して純金属コーティングを形成する工程と、 2.0より大きい屈折率の誘電体層を前記純金属コーティングに形成する工程と、 前記純金属コーティングおよび前記誘電体層をパターン化して、反射コーティングを、前記光学格子の各部分の頂部と側壁上に形成する工程と、 前記光学格子上に前記屈折率が2.0より小さいパッシベーション層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 D ,  H01L31/10 A
Fターム (30件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CA09 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118GB02 ,  4M118GB11 ,  4M118GD15 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ10 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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