特許
J-GLOBAL ID:201303094282721549

研磨監視方法および研磨装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡邉 勇 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-173792
公開番号(公開出願番号):特開2013-036881
出願日: 2011年08月09日
公開日(公表日): 2013年02月21日
要約:
【課題】研磨装置の稼働率を低下させることなく渦電流センサの較正を行うことができ、精度の高い膜厚監視を可能とする研磨監視方法および研磨装置を提供する。【解決手段】回転する研磨テーブル1上の研磨面2aに研磨対象の基板Wを押圧して基板W上の導電膜mfを研磨し、研磨中に研磨テーブル1に設置された渦電流センサ50により導電膜mfの厚さを監視する研磨監視方法であって、研磨中の渦電流センサ50の出力信号を取得し、渦電流センサ50の上方に基板Wが存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサ50の出力調整量を算出し、出力調整量を用いて渦電流センサ50の上方に基板Wが存在する時の出力信号を補正して基板W上の導電膜mfの厚さを監視する。【選択図】図7
請求項(抜粋):
回転する研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板上の導電膜を研磨し、研磨中に研磨テーブルに設置された渦電流センサにより導電膜の厚さを監視する研磨監視方法であって、 研磨中の渦電流センサの出力信号を取得し、渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視することを特徴とする研磨監視方法。
IPC (4件):
G01B 7/06 ,  B24B 49/04 ,  B24B 49/10 ,  H01L 21/304
FI (4件):
G01B7/06 M ,  B24B49/04 Z ,  B24B49/10 ,  H01L21/304 622S
Fターム (22件):
2F063AA16 ,  2F063BB06 ,  2F063BC06 ,  2F063BD16 ,  2F063CB04 ,  2F063DA01 ,  2F063DA05 ,  2F063DD02 ,  2F063GA08 ,  3C034AA13 ,  3C034AA19 ,  3C034BB92 ,  3C034CA02 ,  3C034CB14 ,  3C034DD10 ,  3C034DD20 ,  5F057AA20 ,  5F057DA03 ,  5F057FA39 ,  5F057GA13 ,  5F057GB03 ,  5F057GB13
引用特許:
審査官引用 (5件)
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