特許
J-GLOBAL ID：201303094708663975

ナノインプリント用モールドの製造方法

発明者：
栗原 正彰

栗原 正彰 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (6件)： 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-118561
公開番号（公開出願番号）：特開2013-224035
出願日： 2013年06月05日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】 ナノインプリント用モールドの凹凸パターン表面に、離型性と耐久性に優れ、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えない離型層を有し、高精度で微細なナノインプリント用樹脂のパターン形成が可能なナノインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面に凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなり、前記凹凸パターンが離型層で被覆されているナノインプリント用モールドの製造方法であって、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、前記単分子膜の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させて、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取り離型層とする工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板表面に凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなり、前記凹凸パターンが離型層で被覆されているナノインプリント用モールドの製造方法であって、 両親媒性のシランカップリング剤の離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、 前記単分子膜の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させて、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取り離型層とする工程と、 を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
IPC (4件)：
B29C 59/02 ,  H01L 21/027 ,  B29C 33/38 ,  B29C 33/58
FI (4件)：
B29C59/02 B ,  H01L21/30 502D ,  B29C33/38 ,  B29C33/58
Fターム (30件)：
4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ06 ,  4F202AM32 ,  4F202AR08 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CB29 ,  4F202CM46 ,  4F202CM82 ,  4F202CM84 ,  4F202CM90 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ06 ,  4F209AM32 ,  4F209AR08 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  4F209PQ11 ,  4F209PQ20 ,  5F146AA32 ,  5F146AA34
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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