特許
J-GLOBAL ID：200903083411545537

レジストパターン形成方法およびフォトマスクの製造方法

発明者：
栗原 正彰

栗原 正彰 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226973
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054440
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 フォトマスク等のレジストパターン形成の場合には、下地基板とレジスト材料との密着性が悪く、種々の問題を生じる。本発明は、これらの問題を解決することを目的とする。【解決手段】 シリコンウェハー、フォトマスク等の下地基板とレジスト材料界面に、化学修飾法による有機分子の薄膜層を設け、基板との密着強度を増加させる。有機分子の薄膜層は、シランカップリング処理により施すことができ、塗布方法としては、LB法が有効であり、レジストとしては化学増幅レジストが採用できる。かかる有機分子の薄膜層により、レジスト材料等と下地基板間の密着強度が増加し、レジストパターン断面形状の改良、線幅2μm以下のレジストパターンの脱落防止、エッチング寸法シフト量の減少を図ることができる。
請求項（抜粋）：
下地基板とレジスト材料界面に化学修飾法による有機分子膜層を形成させることを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 502 P
引用特許：
審査官引用 (25件)
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