特許

J-GLOBAL ID：201303095457097092

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中條 卓也 ,  田村 政樹 ,  高橋 靖司 ,  大川 啓一 ,  梶原 良一 ,  元脇 成久 ,  宝蔵寺 裕之
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-045115
公開番号（公開出願番号）：特開2013-182978
出願日： 2012年03月01日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】外部接続端子を有する基材表面の絶縁膜を部分的に除去し、基材表面に選択的にZnめっきしてから加熱・合金化処理することによって、金属部材の材質によらず同一の処理条件で封止樹脂との接着強度を向上できる高い信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】金属部材の高接着化処理として、基材1表面にめっきされたZnと前記基材1との合金化処理を行ったリードフレーム等の金属部材1aを用いて樹脂封止するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部接続端子を有する基材表面の絶縁膜を部分的に除去し、前記基材表面に選択的にZnめっきし、前記Znめっきした基材を非酸化雰囲気又は還元雰囲気で加熱処理して前記Znと前記基材との合金化処理を行った金属部材を準備する工程と、 前記金属部材に半導体素子を接着する工程と、 前記半導体素子の電極と前記金属部材の外部接続端子とを電気的に接続する工程と、 半導体素子と金属部材を封止樹脂により覆う工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/50

FI (2件)：

H01L23/50 V ,  H01L23/50 Q

Fターム (5件)：

5F067BC11 ,  5F067DA07 ,  5F067DC10 ,  5F067DC16 ,  5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-268582   出願人：株式会社日立製作所
• 金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-020045   出願人：株式会社日立製作所