特許
J-GLOBAL ID：201303096292868028
プラズモン薄膜レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-027114
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165152
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
【課題】オンチップ光配線実現に向け、横方向電流注入型の薄膜レーザにおいて、低しきい値化と小型化を図る。【解決手段】薄膜半導体レーザにおいて、微細金属共振器アレイ7をSiO21内に設け、微細金属共振器アレイ7によるメタマテリアル構造8の、誘電率と透磁率を変化させることで、表面プラズモンによるTEモード光の閉じ込めを可能とし、この強光閉じ込めにより、低しきい値化と小型化を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
横方向電流注入構造の薄膜半導体レーザにおいて、
光導波路の上部に誘電率と透磁率をそれぞれ独立に制御するメタマテリアル構造を備え、
前記光導波路において回折限界を超えたナノスケール領域への光の閉じ込めを可能とすることを特徴とするプラズモン薄膜レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F173AA22
, 5F173AA40
, 5F173AB50
, 5F173AF36
, 5F173AF40
, 5F173AR26
