特許
J-GLOBAL ID：201303096571584510
太陽電池の製造方法および太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221909
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084664
出願日： 2011年10月06日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】発電効率に優れる太陽電池を製造することのできる製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板上に、下部電極、Cu、In、Ga、およびSeを含有する光吸収層、バッファー層、透明導電層、および上部電極が少なくともこの順に形成された太陽電池の製造方法であって、前記光吸収層は、基板温度を300〜500°CとしてSeおよびGaを蒸着させる第1の工程と、基板温度を300〜500°CとしてSeおよびInを蒸着させる第2の工程と、基板温度を前記第2の工程における温度から昇温して550〜630°CとしてSeおよびCuを蒸着させる第3の工程と、基板温度を550〜630°CとしてSeおよびInを蒸着させる第4の工程と、基板温度を550〜630°CとしてSeおよびGaを蒸着させる第5の工程とを少なくともこの順に前記下部電極上に行って形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に、
下部電極、
Cu、In、Ga、およびSeを含有する光吸収層、
バッファー層、
透明導電層、
および上部電極
が少なくともこの順に形成された太陽電池の製造方法であって、
前記光吸収層は、
基板温度を300〜500°CとしてSeおよびGaを蒸着させる第1の工程と、
基板温度を300〜500°CとしてSeおよびInを蒸着させる第2の工程と、
基板温度を前記第2の工程における温度から昇温して550〜630°CとしてSeおよびCuを蒸着させる第3の工程と、
基板温度を550〜630°CとしてSeおよびInを蒸着させる第4の工程と、
基板温度を550〜630°CとしてSeおよびGaを蒸着させる第5の工程と
を少なくともこの順に前記下部電極上に行って形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F151AA10
, 5F151CB14
, 5F151CB24
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151GA03
