特許
J-GLOBAL ID：201303096591939594

炭化ケイ素単結晶及びその製造方法

発明者：
丸山 隆之

丸山 隆之 について

, 
遠藤 茂樹

遠藤 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (2件)： 廣田 浩一 ,  流 良広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095794
特許番号：特許第4731766号
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応容器内の一端部側に昇華用原料を収容し、該反応容器内の他端部側に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、 前記一端部側に配置した第一加熱手段により、該昇華用原料が昇華可能となるように昇華雰囲気を形成し、 前記他端部側に配置した第二加熱手段により、前記第一加熱手段により昇華された前記昇華用原料が前記炭化ケイ素単結晶の種結晶近傍でのみ再結晶可能となるように再結晶雰囲気を形成し、 該昇華用原料を前記炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させ、 前記第一加熱手段と前記第二加熱手段との間に設けた干渉防止手段により、前記第一加熱手段と前記第二加熱手段との間の干渉を防止する、昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、 成長させた炭化ケイ素単結晶が、その底面の長径をD(cm)とし、その底面と頂点とを結ぶ垂線の長さをH(cm)としたとき、(H/D)≧0.16、を満たすことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 23/06 ( 200 6.01)
FI (2件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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