基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：杉本修司 , 野田雅士 , 堤健郎 , 小林由佳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-618531
特許番号：特許第4790914号
出願日： 2000年05月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法であって、基板の一領域、またはその近傍において、少なくとも2種類の、異なる分解温度を有する前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に、個々に、順次供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む方法。

IPC (4件)：

C30B 25/14 ( 200 6.01) , C30B 29/38 ( 200 6.01) , C23C 16/44 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 25/14 , C30B 29/38 D , C23C 16/44 A , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

全件表示

前のページに戻る