特許
J-GLOBAL ID:201303098448838291

微細マスク形成用積層体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青木 宏義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-145803
公開番号(公開出願番号):特開2013-012673
出願日: 2011年06月30日
公開日(公表日): 2013年01月17日
要約:
【課題】加工対象である基材表面に残膜の薄い微細マスクパターンを精度よく、かつ、容易に形成することができる微細マスク形成用積層体を提供すること。【解決手段】基材(10)の一主面上に設けられ、表面に凹凸構造を有する樹脂層(11)と、樹脂層(11)を覆うように設けられたマスク層(12)と、を具備し、厚み方向に沿った断面視における凹凸構造の凸部の頂部位置(S)と、マスク層(12)の露出する表面位置(Srl)との距離(lrl)が、0<lrl≦0.1h(ただし、位置(S)と凹部底部位置との距離で表される、凹凸構造の高さ(深さ)をhとする。)を満たす構成とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基材と、 前記基材の一主面上に設けられ、表面に凹凸構造を有する樹脂層と、 前記樹脂層を覆うように設けられたマスク層と、を具備し、 厚み方向に沿った断面視における前記凹凸構造の凸部の頂部位置(S)と、前記マスク層の露出する表面位置(Srl)との距離(lrl)が、下記式(1)を満たすことを特徴とする微細マスク形成用積層体。 0<lrl≦0.1h (1) (ただし、前記位置(S)と前記凹部底部位置との距離で表される、前記凹凸構造の高さ(深さ)をhとする。)
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  B29C 59/02
FI (2件):
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z
Fターム (11件):
4F209AA16 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC05 ,  4F209PG05 ,  5F146AA31 ,  5F146AA32
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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