特許
J-GLOBAL ID：201303098873157842
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-503046
公開番号（公開出願番号）：特表2013-524524
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
シリコン基板から太陽電池を製造する方法であって、このシリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第1主面と、背面側として使用される第2主面とを有しており、さらに第2主面にパッシベーション層を有している、太陽電池の製造方法において、この方法は、上記のシリコン基板の第2主面に酸化物含有層を被着するステップと上記の酸化物含有層を圧縮するため、およびこの酸化物含有層と、シリコン基板の第2主面との間の境界面を酸化して熱酸化物を形成するため、上記のシリコン基板を少なくとも800°Cの温度に加熱するステップとを有する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)から太陽電池を製造する方法であって、
当該シリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第1主面(3)と、背面側として使用される第2主面(4)とを有しており、
前記シリコン基板は、前記第2主面(4)にパッシベーション層を有している、
太陽電池を製造する方法において、
- 前記シリコン基板(1)の前記第2主面(4)に酸化物含有層(5)を被着するステップと、
- 前記酸化物含有層(5)を圧縮するため、および、当該酸化物含有層(5)と前記シリコン基板(1)の前記第2主面(4)との間の境界面を酸化して熱酸化物(6)を形成するため、前記シリコン基板(1)を少なくとも800°Cの温度に加熱するステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L31/04 A
, H01L21/316 M
, H01L21/316 P
5F058BC02
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD06
, 5F058BD15
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BF55
, 5F058BJ03
, 5F151AA16
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
