特許
J-GLOBAL ID：201303099634641364
面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-020444
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256840
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、z軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第1半導体表面構造体領域116Bと、相対的に反射率の低い第2半導体表面構造体領域116Aとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域108bの形状は、z軸方向からみたとき、y軸方向に平行で中心を通る長さが、x軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第1半導体表面構造体領域116Bの形状は、z軸方向からみたとき、y軸方向に平行で中心を通る長さが、x軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板上に下部反射鏡、活性層、及び上部反射鏡が積層され、前記活性層と前記上部反射鏡との間あるいは前記上部反射鏡中に酸化物が電流狭窄領域を取り囲んでいる電流経路制限構造体を有し、前記上部反射鏡上の電極の開口部である射出領域から前記基板に垂直な第1の方向に光を射出する面発光レーザにおいて、
前記射出領域は、前記第1の方向からみたとき、射出中心を含み相対的に反射率が高い第1の領域と、相対的に反射率の低い第2の領域とを有し、
前記電流狭窄領域の形状は、前記第1の方向からみたとき、前記第1の方向に直交する第2の方向に平行で射出中心を通る第1の長さが、他のいずれの方向の射出中心を通る長さと同じか小さく、かつ、少なくともいずれかの方向の射出中心を通る長さが前記第1の長さより大きい形状であり、
前記第1の領域の形状は、前記第1の方向からみたとき、前記第2の方向に平行で射出中心を通る長さが、前記第1の方向と前記第2の方向とも直交する第3の方向に平行で出射中心を通る長さよりも長い形状であることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/183
, B41J 2/44
, G02B 26/10
H01S5/183
, B41J3/00 D
, G02B26/10 B
2C362AA07
, 2C362AA10
, 2C362AA13
, 2C362BA50
, 2C362BA51
, 2C362BA53
, 2C362BA60
, 2H045AA01
, 2H045BA22
, 2H045BA23
, 2H045BA32
, 2H045BA34
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AF92
, 5F173AF96
, 5F173AH13
, 5F173AP05
, 5F173AR04
, 5F173AR42
, 5F173AR53
, 5F173AR55
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
