特許
J-GLOBAL ID：200903021566533483
面発光レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115634
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 抵抗等の増加を抑え、かつ信頼性が良好な基本横モード発振の面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】 上部DBRミラー14上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのGaAs層16を形成するとともに、そのGaAs層16上であってAl酸化層32とAlAs層31の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のGaAs層16が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み42を形成する。これにより、窪み42で囲まれたポスト領域41内でのみレーザ発振を行わせることができる。
請求項（抜粋）：
下部反射鏡、活性層、上部反射鏡の順に積層された層構造を有するとともに、前記下部反射鏡内または前記上部反射鏡内に電流狭窄層が設けられた面発光レーザ素子において、前記上部反射鏡上に設けられるとともに、少なくとも前記電流狭窄層によって定まる電流狭窄領域の境界面よりも内側に、発振レーザ光に対して第一の反射率を示す第一の領域と発振レーザ光に対して第二の反射率を示す第二の領域とを有した半導体層を備えたことを特徴とする面発光レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA35
