超接合半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320875
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134748
特許番号：特許第4843843号
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一と第二の主面と、主面に設けられた二つの主電極と、第一と第二の主面間に低抵抗層と、オフ状態で空乏化する第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備える超接合半導体素子において、厚さの異なる並列pn層を有し、前記並列pn層が厚さの薄い第一並列pn層部分と厚さの厚い第二並列pn層部分とからなり、第一並列pn層部分の周縁部に第二並列pn層部分が配置されていることを特徴とする超接合半導体素子。

IPC (2件)：