特許
J-GLOBAL ID：201303099803197703

薄膜半導体装置と薄膜半導体装置を用いた表示装置

発明者：
白神 崇生

白神 崇生 について

, 
小原 有司

小原 有司 について

, 
加瀬 正人

加瀬 正人 について


出願人/特許権者：
双葉電子工業株式会社

双葉電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 有賀 正光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083575
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008944
出願日： 2012年04月02日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】IGZO等の酸化物半導体膜からなる薄膜半導体装置において、無酸素雰囲気中で加熱しても酸素が酸化物半導体膜に拡散してTFT特性を発現する薄膜半導体装置を提供すること。【解決手段】薄膜半導体装置は、ガラスの基板20、ゲート電極23G,ゲート絶縁膜21、ソース電極23S、ドレイン電極23D、IGZOの酸化物半導体膜24、二酸化マンガン(MnO2)の酸素放出絶縁膜25、保護膜22からなる。薄膜半導体装置は、蛍光表示装置等の薄膜形成時における加熱工程、焼成工程、封着工程において加熱すると、酸素が酸素放出絶縁膜25から放出されて酸化物半導体膜24に拡散してTFT特性を発現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、酸化物半導体膜、酸素放出絶縁膜を備え、酸素放出絶縁膜は、酸化物半導体膜の少なくとも一部に接していることを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A
Fターム (41件)：
2H092JA23 ,  2H092JA26 ,  2H092JB56 ,  2H092KA07 ,  2H092MA07 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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