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J-GLOBAL ID：201402207189332640   整理番号：14A0058375

単結晶SiC高能率複合研磨法の開発

著者 (10件)： 栗田恒雄 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  三宅晃司 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  河田研治 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  芦田極 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  加藤智久 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  栗田恒雄 (産業技術総合研) ,  三宅晃司 (産業技術総合研) ,  河田研治 (産業技術総合研) ,  芦田極 (産業技術総合研) ,  加藤智久 (産業技術総合研)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 58  号： 1  ページ： 30-35  発行年： 2014年01月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC単結晶ウエハは耐電圧性,耐熱性でシリコンを上回りパワーデバイス向け材料として期待される一方,高硬度であるために難加工材料として知られている。本報ではSiCを紫外光照射を用いた手法,電気化学的手法により比較的硬度の低い材料に変化させ,それをSiCよりも硬度が低く変化した材料よりも硬度の高い砥粒により研磨する複合研磨法を提案する。提案した研磨法で比較的高度の低い材料生成試験を行い,両手法における特徴を示した。電気化学的手法を用いて,SiCの高能率複合研磨を実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： 単結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  *研磨 ,  能率 ,  ウエハ【IC】 ,  材料 ,  加工 ,  難削材 ,  *紫外線照射 ,  砥粒 ,  硬度 ,  *電解加工 ,  *光解離 ,  石英ガラス ,  アルミナ ,  酸化膜 ,  工作油 ,  硝酸ナトリウム ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  高硬度 ,  高能率 ,  *高能率複合研磨 ,  *単結晶SiC ,  難加工材料

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (15件)：

• 1) Kazuo Arai: R&D of SiC semiconductor power device and strategy towerds their practical utilizatiom, Synthesiology, 3, 4 (2010) 259 (in Japanese).
• 2) 平成21 年度戦略的基盤技術高度化支援事業研究開発成果等報告書:単結晶SiC による高融点ガラスレンズ成形金型の開発, (2010) 6
• 3) T. Kato et al: High throughput SiC wafer polishing with good surface morphology, Materials Science Forum Vols. 556-557 (2007) 753.
• 4) T. Kurita, M. Hattori: A study of EDM and ECM/ECM-lapping Complex Machining Technology, INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE, 46 (2006) 1804.
• 5) T. Kurita, M. Hattori: Development of New-Concept Desk Top Size Machine Tool, INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE, 45 (2005) 959.

タイトルに関連する用語 (3件)： 高能率 ,  研磨 ,  開発