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J-GLOBAL ID：201402209533188395   整理番号：14A0622757

Al/Al₂O₃/AlリッチAl-O/SiO₂/p-Si電荷トラッピングフラッシュメモリ構造のメモリー特性に及ぼす低温ポスト堆積アニーリングの影響

Influences of low-temperature postdeposition annealing on memory properties of Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/p-Si charge trapping flash memory structures

著者 (4件)： OZAKI Shinya (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  KATO Takashi (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  KAWAE Takeshi (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  MORIMOTO Akiharu (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32  号： 3  ページ： 031213-031213-5  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷トラッピングフラッシュ(CTF)メモリ構造をSiO₂/p-Si基板上にAlリッチAl-Oを電荷トラッピング層に用いて作製した。試料の容量電圧曲線はAlリッチAl-O層における電荷トラッピングによる,最大動作電圧7Vの大きなメモリウィンドウ幅4.8Vを示した。350°CでのN₂ポスト堆積アニーリングによって,このCTFメモリー構造の電荷保持特性は電荷トラップ密度に何らの損失無く劇的に改善された。更に,提案した構造は耐久性と100°Cにおいてさえも安定なデータ保持のような優秀なメモリ特性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *アルミニウム ,  *アルミナ ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  酸素 ,  窒素 ,  熱処理 ,  *キャリア捕獲 ,  *容量電圧特性 ,  保持時間 ,  耐久性 ,  *保持 ,  *MIM構造
準シソーラス用語： *データ保持 ,  メモリウィンドウ【半導体】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (10件)： Al ,  Al2O3 ,  SiO2 ,  Si ,  電荷トラッピング ,  フラッシュメモリ ,  メモリー ,  低温 ,  堆積 ,  アニーリング