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J-GLOBAL ID：201402210263284484   整理番号：14A0657045

非晶質Si₃N₄膜におけるイオン軌跡形成に対する表面効果

Surface effect on ion track formation in amorphous Si₃N₄ films

著者 (10件)： MORITA Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAJIMA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUZUKI M. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NARUMI K. (Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN) ,  SAITOH Y. (Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN) ,  ISHIKAWA N. (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  HOJOU K. (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  TSUJIMOTO M. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISODA S. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMURA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 315  ページ： 142-145  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  Si3N4 ,  イオン ,  軌跡 ,  表面効果