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J-GLOBAL ID：201402213110824950   整理番号：14A1101213

Cu(Ag)/Ta₂O₅界面の酸化還元過程とフォーミングに対するTa₂O₅膜密度の影響

著者 (9件)： 鶴岡徹 (物質・材料研究機構) ,  鶴岡徹 (JST-CREST) ,  VALOV Ilia (アーヘン工科大) ,  VALOV Ilia (ユーリヒ研究機構) ,  長谷川剛 (物質・材料研究機構) ,  長谷川剛 (JST-CREST) ,  WASER Rainer (アーヘン工科大) ,  WASER Rainer (ユーリヒ研究機構) ,  青野正和 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20P-A10-5  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  薄膜成長 ,  *電流電圧特性 ,  *酸化還元反応 ,  *金属イオン ,  拡散係数 ,  *MIM構造 ,  銅 ,  白金 ,  RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  単一電子トランジスタ ,  絶縁膜 ,  密度 ,  空隙率 ,  ナノ構造 ,  フィラメント
準シソーラス用語： 酸化還元 ,  ReRAM ,  ナノフィラメント

分類 (3件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Ag ,  Ta2O5 ,  界面 ,  酸化還元 ,  過程 ,  フォーミング ,  密度