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J-GLOBAL ID：201402214121629390   整理番号：14A0101620

MOVPE成長-c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

著者 (15件)： 正直花奈子 (東北大 金属材料研) ,  崔正くん (東北大 金属材料研) ,  崔正くん (JST-CREST) ,  岩渕拓也 (東北大 金属材料研) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  窪谷茂幸 (東北大 金属材料研) ,  花田貴 (東北大 金属材料研) ,  片山竜二 (東北大 金属材料研) ,  松岡隆志 (東北大 金属材料研) ,  谷川智之 (JST-CREST) ,  窪谷茂幸 (JST-CREST) ,  花田貴 (JST-CREST) ,  片山竜二 (JST-CREST) ,  松岡隆志 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集  (応用物理学会東北支部学術講演会論文集)
巻： 68th  ページ： 44-45  発行年： 2013年12月05日 
JST資料番号： L1473A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  化学組成 ,  波長 ,  *MOCVD ,  *準安定相 ,  基板 ,  サファイア ,  純度 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  相 ,  *混合
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  発光波長 ,  相純度 ,  複数相

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  準安定相