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文献
J-GLOBAL ID:201402214934799129   整理番号:14A0032080

電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性

Photoelectrode properties of GaN porous structures formed by photo-assisted electrochemical process
著者 (4件):
資料名:
巻: 113  号: 329(ED2013 64-89)  ページ: 113-116  発行年: 2013年11月21日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として,電気化学的手法による多孔質構造の形成と,その光学特性の評価を行った。多孔質構造の形成には光支援電気化学エッチングを適用し,電気化学条件により孔の形状および寸法が大きく変化することを見出した。作製した試料の光学特性評価を行ったところ,特性が多孔質構造の表面形状や孔の深さに大きく依存することを明らかにし,多孔質構造の形状制御が重要課題であることを示した。さらに,多孔質構造の形成により光電変換効率の大幅な向上を確認し,光電極応用に有望な結果を得た。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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