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J-GLOBAL ID：201402216051120820   整理番号：14A0559817

ベンゾビスチアゾール系共重合体の光起電力性能向上: 酸化亜鉛電子輸送層を用いたデバイスアプローチ

Boosting photovoltaic performance of a benzobisthiazole based copolymer: a device approach using a zinc oxide electron transport layer

著者 (6件)： SAEKI Akinori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAEKI Akinori (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  TSUJI Masashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIKAWA Saya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GOPAL Anesh (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SEKI Shu (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 2  号： 17  ページ： 6075-6080  発行年： 2014年05月07日 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さを最適化した逆電池構造のPBBTz(ポリベンゾビスチアゾール)BT(ベンゾチアジアゾール)-BT-PC₇₁BMデバイスは,6.5%のPCEを有することを示した。これは,これまでのBBTz系高分子の最高値である。これはGIXRDにより検出された方位と繊維状形態と一致している。過剰な厚みの膜は,増加する電荷再結合に起因してJ_SC,FF,V_OCの低下をもたらす。TRMC(時間分解マイクロ波伝導度)トランジェントとPCE/V_OCの相間は,デバイス調整の有効なガイドであることを実証した。

シソーラス用語： *ポリベンゾビスチアゾール ,  *共重合体 ,  *光起電力 ,  *酸化亜鉛 ,  層 ,  入射 ,  X線回折 ,  再結合 ,  短絡電流 ,  パラメータ ,  電圧 ,  効率 ,  マイクロ波 ,  比率 ,  フラーレン ,  暗電流 ,  光電池 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： XRD ,  ベンゾチアジアゾール類 ,  開回路電圧 ,  曲線因子 ,  光起電力セル ,  斜め入射 ,  伝導度 ,  電荷再結合 ,  *電子輸送層 ,  電力変換効率 ,  ベンゾチアゾール類

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  高分子の結晶構造  (BK10000K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 共重合体 ,  光起電力 ,  性能向上 ,  酸化亜鉛 ,  電子輸送層