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J-GLOBAL ID：201402216736908586   整理番号：14A0891246

Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成

Efficient Activation of As⁺ Ion implantation into Ge substrate for Formation of Low-Resistive Shallow Junction

著者 (9件)： 浜田慎也 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  村上秀樹 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  小野貫寛 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  橋本邦明 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  大田晃生 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  大田晃生 (名古屋大 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ,  花房宏明 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  宮崎誠一 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 88(SDM2014 43-61)  ページ： 27-30  発行年： 2014年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ge中でのAsの活性化率を向上させるために,Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs⁺イオン注入をした場合において,イオン注入時の基板温度のイオン注入時のアモルファス化度,600°Cのポストアニール後の再結晶化度,Asの活性度に対する影響及びそれらの相関について調べた。As⁺イオン注入時の基板温度が低いほど基板の自己加熱が抑えられるため,よりアモルファス化が促進されることが観測された。これは低温イオン注入により,アモルファス化が促進されることで,ポストアニール時の再結晶化の際にAsクラスタリングが効果的に抑制され,As活性化率向上がもたらされた結果と考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  基板 ,  *イオン注入 ,  *基板温度 ,  *アモルファス化 ,  *ヒ素 ,  *クラスタ化 ,  *活性化 ,  半導体接合 ,  焼なまし ,  再結晶 ,  加熱 ,  *N型半導体 ,  *MISFET ,  深さ分布 ,  温度依存性 ,  照射線量 ,  Raman散乱 ,  Ramanスペクトル ,  偏光解析法 ,  自己加熱 ,  浅い接合 ,  *改変
準シソーラス用語： 高効率活性化 ,  浅接合 ,  ポストアニール ,  再結晶化 ,  分光エリプソメトリ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• C. O. Chui et al., Appl. Phys. Lett., vol.87, 091909 (3pages), 2005.
• M. Koike et al., J. Appl. Phys., vol.104, 023523 (5pages), 2008.
• W. M. Lau et al., vol.67 no.8, pp.3821-3825, 1990.
• Y. Takamura et al., J. Appl. Phys., vol.92, no.9, pp.5503-5507, 2002.
• M. Takakura et al., Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) 3627.

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge基板 ,  高効率 ,  活性化 ,  低抵抗 ,  浅接合