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J-GLOBAL ID：201402217576010240   整理番号：14A0651427

高品質3次元ナノポーラスグラフェン

High-Quality Three-Dimensional Nanoporous Graphene

著者 (12件)： ITO Yoshikazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANABE Yoichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  QIU H.-J. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWARA Katsuaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HEGURI Satoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TU Ngoc Han (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HUYNH Khuong Kim (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJITA Takeshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIGAKI Katsumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHEN Mingwei (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Mingwei (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 53  号： 19  ページ： 4822-4826  発行年： 2014年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3Dグラフェンの細孔サイズを調整可能な,高品質3Dナノポーラスグラフェンを作製するための新規のナノポーラスNi-ベース化学蒸着(CVD)手法を紹介した。驚くべきことに,3Dナノポーラスグラフェンは,3Dナノ構造中において特有の2D可干渉特性を保存することができ,両連続相多孔性,小細孔サイズ,大表面積,高電子移動度によって,ナノポーラスグラフェンは物理および化学的応用へ大いに有望であった。ナノポーラスNi-ベースCVD技術によって,およそ100nmから2.0μmまでの調整可能な細孔サイズをもつ高品質3Dナノポーラスグラフェンが得られた。3Dグラフェンの輸送特性は,量子Hall効果なしでのDiracコーン電子状態を示し,3D相互結合グラフェン構造のユニークさを反映した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *材料 ,  *多孔質体 ,  三次元 ,  ニッケル ,  細孔径 ,  化学蒸着 ,  量子Hall効果 ,  電子移動 ,  電子状態 ,  走査電子顕微鏡 ,  磁気抵抗 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Diracコーン ,  *ナノポーラス体

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高品質 ,  3次元