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J-GLOBAL ID：201402219257932200   整理番号：14A0370212

バルクマイクロマシニングを用いた中空構造a-InGaZnO TFTの開発

著者 (6件)： 岩松新之輔 (山形県工技セ) ,  竹知和重 (NLTテクノロジー) ,  阿部泰 (山形県工技セ) ,  矢作徹 (山形県工技セ) ,  田邉浩 (NLTテクノロジー) ,  小林誠也 (山形県工技セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-E10-19  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *マイクロマシニング ,  *MEMS ,  プラズマエッチング ,  *非晶質半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  半導体薄膜 ,  窒化ケイ素 ,  フォトリソグラフィー ,  ダイヤフラム ,  光学顕微鏡法 ,  バルクマイクロマシニング ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  異方性エッチ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルクマイクロマシニング ,  中空構造 ,  TFT ,  開発