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J-GLOBAL ID：201402221222764953   整理番号：14A1085263

拡張ゲート電界効果トランジスタ(EGFET)用途のためのポリシリコン上への高k酸化サマリウム膜の蒸着

Deposition of High-k Samarium Oxide Membrane on Polysilicon for the Extented-Gate Field-Effect Transistor (EGFET) Applications

著者 (9件)： KAO Chyuan-Haur (Chang Gung Univ.) ,  CHEN Hsiang (Chang Gung Univ.) ,  CHEN Hsiang (National Chi Nan Univ., Nantou County, TWN) ,  WANG Jer-Chyi (Chang Gung Univ.) ,  CHU Yu-Cheng (National Chi Nan Univ., Nantou County, TWN) ,  LAI Chiao-Sung (Chang Gung Univ.) ,  LIN Shih-Po (Chang Gung Univ.) ,  HUANG Chuan-Yu (Chang Gung Univ.) ,  OU Jiun-Cheng (Chang Gung Univ.)
資料名： Journal of New Materials for Electrochemical Systems  (Journal of New Materials for Electrochemical Systems)
巻： 17  号： 1  ページ： 13-16  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： W1892A  ISSN： 1480-2422  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： カナダ (CAN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sm₂O₃/ポリシリコンベース拡張ゲート電界効果トランジスタ(EGFET)を調製し,デバイス性能に対するN₂中のポストアニール処理温度600~900°Cの影響を調べた。300nm厚みのポリシリコン上への高k酸化サマリウム膜の蒸着を625°C,低圧化学蒸着で行った。試料特性をXRDと種々のpHにおけるI-V曲線で調べた。ポストアニールは高選択性,高線形性,低ヒステリシス電圧および低ドリフト比を達成し最適アニール温度は700°Cであった。材料分析とセンサ性能は最も好ましい特性を示した。このシステムは応答pHセンシングと信頼性を示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ポリシリコン ,  *酸化サマリウム ,  *焼なまし ,  LPCVD ,  pHセンサ ,  効果 ,  セラミック膜
準シソーラス用語： *アニール処理 ,  ヒステリシス効果 ,  低圧化学蒸着 ,  *電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 拡張 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  用途 ,  ポリシリコン ,  酸化サマリウム ,  蒸着