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J-GLOBAL ID：201402226148869880   整理番号：14A0371944

Mg₂Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

著者 (11件)： WU Yan (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  長谷川明紀 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  渡辺孝信 (早稲田大 理工) ,  片岡好則 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.20A-D9-2  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *マグネシウム化合物 ,  *ケイ素 ,  *ケイ化物 ,  トンネル効果 ,  半導体薄膜 ,  *素子構造 ,  ケイ化マグネシウム ,  構造依存性
準シソーラス用語： *トンネルFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET ,  構造依存性