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J-GLOBAL ID：201402228466675574   整理番号：14A1499429

シリコンプラズマエッチング中の表面粗化の二つのモード イオン化されたエッチング生成物の役割

Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products

著者 (5件)： NAKAZAKI Nobuya (Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...) ,  TSUDA Hirotaka (Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...) ,  TAKAO Yoshinori (Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...) ,  ERIGUCHI Koji (Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...) ,  ONO Kouichi (Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 116  号： 22  ページ： 223302-223302-20  発行年： 2014年12月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  プラズマ源 ,  *誘導結合プラズマ ,  *塩素 ,  表面処理 ,  *表面粗さ ,  電力 ,  エネルギー依存性 ,  流量 ,  基板温度 ,  加工時間 ,  バイアス ,  放射線束 ,  プラズマ診断 ,  計算機シミュレーション ,  ガス流量 ,  モンテカルロシミュレーション ,  分子動力学シミュレーション ,  シリコンウエハ ,  イオンフラックス ,  *プラズマ ,  時間 ,  加工条件 ,  条件 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  電力依存性 ,  入力エネルギー ,  イオン束

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  プラズマエッチング ,  表面粗化 ,  イオン化 ,  エッチング ,  生成物 ,  役割