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J-GLOBAL ID：201402229728470096   整理番号：14A0146105

相補形論理応用のためのL形トンネル電界効果トランジスタ

L-Shaped Tunneling Field-Effect Transistors for Complementary Logic Applications

著者 (8件)： KIM Sang Wan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Woo Young (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  SUN Min-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SUN Min-Chul (Samsung Electronics Co., Yongin, KOR) ,  KIM Hyun Woo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E96-C  号： 5  ページ： 634-638  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の相補形論理機能を実現するためには電流駆動能力とサブスレッシュホールド係数をさらに改良する必要があり,L形TFETをデバイスシミュレーションに基づいて検討した。デバイスの性能を改良するために,ゲート誘電体として従来の二酸化ケイ素(SiO₂)に替わり,酸化ハフニウム(HfO₂)を使用した。デバイス性能におよぼすデバイスパラメータの影響を検討し,L形TFETの設計を最適化した。L形TFETのインバータの性能を従来のTFETのインバータの性能と比較した。その結果,L形TFETのインバータは従来のTFETのインバータよりも最大1000倍速い動作を示すことがわかった。真性シリコン領域の高さを増加したり,狭いバンドギャップの材料を導入することにより,オン電流をさらに改良することができる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電流発生 ,  係数 ,  L形断面 ,  *計算機シミュレーション ,  誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  インバータ ,  バンドギャップ ,  *改良 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： サブスレッシュホールド係数 ,  *デバイスシミュレーション ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  高κゲート誘電体 ,  *性能向上 ,  電流駆動

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (10件)：

• GOPALAKRISHNAN, K. I-MOS : A novel semiconductor device with a subthreshold slope lower than kT/q. Digest of International Electron Device Meeting, San Francisco, CA, USA, Dec., 2002. 2002, 289-292
• BOUCART, K. A new definition of threshold voltage in tunnel FETs. Solid-State Electron. 2008, 52, 9, 1318-1323
• CHOI, W. Y. Hetero-gate-dielectric tunneling field-effect transistors. IEEE Trans. Electron. Devices. 2010, 57, 9, 2317-2319
• JANG, J.-S. Ambipolarity factor of tunneling fieldeffect transistors (TFETs). J. Semiconductor Technology and Science. 2011, 11, 4, 272-277
• SUN, M.-C. Comparative study on top-and bottom-source vertical-channel tunnel field-effect transistors. IEICE Trans. Electron. 2012, E95, 5, 826-830

タイトルに関連する用語 (4件)： 論理 ,  応用 ,  L形 ,  トンネル電界効果トランジスタ