文献
J-GLOBAL ID:201402230230509589
整理番号:14A0226329
電力消費が非常に少ないデプレションモード酸化物TFTのためのシフトレジスタ
A shift register for depletion-mode oxide TFTs with very low power consumption
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著者 (9件):
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資料名:
巻:
10
号:
21
ページ:
20130765-20130765 (J-STAGE)
発行年:
2013年
JST資料番号:
U0039A
ISSN:
1349-2543
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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金属酸化物薄膜トランジスタ(TFT)から成るシフトレジスタは,酸化物TFTがデプレッションモード特性である場合が多いために電力消費が異常に高くなりがちである。プルダウンTFTの一つをクロック信号および入力キャリー信号との容量性結合により制御する新しいシフトレジスタ回路を開発した。この構造を使用して,非ゼロVDSを負性VGSで常にターンオフする。結果として,TFTに流れる不必要な電流を除去し,TFTの閾値電圧が-5Vの場合,この新しい回路の電力消費を以前のものの半分に低減する。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
論理回路
, トランジスタ
引用文献 (8件):
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[1] R. Hayashi, M. Ofuji, N. Kaji, K. Takahashi, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono: Journal of the SID 15 [11] (2007) 915.
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[2] J. Song, J. H. Lim, B. D. Ahn and J. Lee: SID Symp. Dig. Tech. Papers (2013) 93.
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[3] S. H. Choi and M. K. Han: IEEE Electron Device Lett. 34 [6] (2013) 771.
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[4] F. H. Chen, T. M. Pan, C. H. Chen, J. H. Liu, W. H. Lin and P. H. Chen: IEEE Electron Device Lett. 34 [5] (2013) 635.
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[5] N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai and T. Sasaoka: Journal of the SID 20 [1] (2012) 47.
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