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J-GLOBAL ID：201402231094976700   整理番号：14A0434877

(411)A面GaAs基板上のGaAsBi/GaAs量子井戸のMBE成長

著者 (4件)： 建部崇政 (愛媛大 大学院) ,  名原優 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2013  ページ： 105  発行年： 2013年07月27日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *結晶面 ,  *ビスマス化合物 ,  *量子井戸 ,  *MBE成長 ,  X線回折

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  量子井戸 ,  MBE成長