文献

J-GLOBAL ID：201402232181021756   整理番号：14A0096615

参照用電界効果トランジスタに対して水素アニーリングを用いたpH感度制御法

A pH Sensitivity Control Method Using Hydrogen Annealing for Reference Field-Effect Transistors

著者 (6件)： FUTAGAWA Masato (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  TAKAHASHI Makoto (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  KAMADO Keita (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  ISHIDA Makoto (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAWADA Kazuaki (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAWADA Kazuaki (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 25  号： 9  ページ： 635-642  発行年： 2013年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pH測定に使用するイオン感応電界効果トランジスタ(ISFET)および参照用FET(REFET)デバイスについて多数の研究が行われた。REFETのpH感度がISFETのものよりかなり悪くならないように,ISFETおよびREFETデバイスの感知膜に各種の材料が使用された。この場合,REFETおよびISFETの出力信号の同期により溶液内のAC電圧成分の変動を無くすことは困難であることが分かった。それ故,新たな提案を行った。この提案では,Si₃N₄膜のpH感度を低減するために水素アニーリングを使用する。n型Si基板上のSiO₂の上にSi₃N₄を積層した構成のデバイスを作製した。水素中で400°C・20分アニーリングしたデバイスのpH感度は54.6mV/pHから32.6mV/pHに減少した。高い温度でのアニーリングは感度を大きく低減させる場合にはあまり有効ではなく,アニーリングはSi₃N₄膜の内部ではなく,表面にのみ影響した。REFETとして使用する低pH感度のデバイスの作製技術の開発に成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *感受性 ,  *pH【水素イオン指数】 ,  *ISFET ,  参照 ,  FET【トランジスタ】 ,  焼なまし ,  *窒化ケイ素 ,  容量電圧特性 ,  *感度解析
準シソーラス用語： pH感度 ,  REFET ,  水素アニーリング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

引用文献 (32件)：

• P. Bergveld: IEEE Trans. Biomed. Eng. 17 (1970) 70.
• M. Esashi and T. Matsuo: IEEE Trans. Biomed. Eng. 25 (1978) 184.
• K. Nakazato: Sensors 9 (2009) 8831.
• T. Hattori, Y. Masaki, K. Atsumi, R. Kato and K. Sawada: Anal. Sci. 26 (2010) 1039.
• A. van den Berg, A. Grisel, H. H. van den Vlekkert and N. F. de Rooij: Sens. Actuators, B 1 (1990) 425.

タイトルに関連する用語 (6件)： 参照 ,  電界効果トランジスタ ,  水素 ,  アニーリング ,  pH感度 ,  制御法