反応性スパッタリングにおけるターゲットモード変化について-容器壁によるゲッタリングの影響-

阿部良夫; 川村みどり; 佐々木克孝

文献

J-GLOBAL ID：201402234044158836 整理番号：14A0273244

反応性スパッタリングにおけるターゲットモード変化について-容器壁によるゲッタリングの影響-

Target Mode Transition for Reactive Sputtering -Effect of Gettering by Chamber Wall-

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資料名：
巻： 57 号： 1 ページ： 1-8 (J-STAGE) 発行年： 2014年
JST資料番号： G0194A ISSN： 1882-2398 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

反応性スパッタリング法は複合薄膜の製造に広く用いられている。金属モードから複合モードへの変化は反応性スパッタリングの特徴で,注意深く制御する必要がある。本論文では,Al-O₂系のターゲットモード変化の臨界条件を調べた。まず,スパッタしたAl原子と導入したO₂気体の量を変えて変化の条件を調べた。導入したO原子数に対するスパッタAl原子数の比はターゲットモード変化の重要なパラメータであることが分かった。次に,ターゲットモードの時間依存変化を調べた。金属モードから酸化物モードへの変化は,プリスパッタリングの容器壁上に堆積したAl原子の量に依存することが分かった。結果は反応性気体分子をゲッタする容器壁の重要な役割を示唆した。

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薄膜成長技術・装置

引用文献 (51件)：

1) A. Kinbara: Supattaringu Genshou (Sputtering Phenomena) (Univ. Tokyo Press, Tokyo, 1984) p. 120 [in Japanese].
2) H. Kobayashi: Supatta Hakumaku, Kiso to Ouyou (Sputter Thin Films, Basics and Applications) (Nikkan Kogyo Shinbun, Tokyo, 1993) p. 90 [in Japanese].
3) W. D. Westwood: Sputter Deposition (AVS, New York, 2003) p. 203, p. 260.
4) D. Depla and S. Mahieu: Reactive Sputter Deposition (Springer, Berlin, 2008) p. 1.
5) J. Heller: Thin Solid Films, 17 (1973) 163.

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