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J-GLOBAL ID：201402234202483243   整理番号：14A0552047

外部歪みによるSnO₂の電気抵抗の可逆 不揮発性変調

Reversible and nonvolatile modulation of electrical resistance in SnO₂ by external strain

著者 (4件)： SAKURAI Makoto (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  LIU Kewei (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  LIU Kewei (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  AONO Masakazu (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 3  ページ： 031101.1-031101.3  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適用機械歪みと電圧下で酸化スズ(SnO₂)マイクロロッドは,可逆 不揮発性半導体-絶縁体転移を示した。この転移の起源を理解するため,透過電子顕微鏡(TEM)と,光ルミネセンス(PL)分光法を用いて機械歪下でSnO₂ワイヤーの格子欠陥を研究した。TEM研究は,機械的に曲げたSnO₂ナノワイヤでスリップ面を示した。曲げたSnO₂マイクロロッドのPLスペクトルはバンドギャップに機械応力が誘発した欠陥に起因する,強い可視放出を示した。そしてこれは不揮発性転移を支えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *棒 ,  *電気抵抗 ,  可逆反応 ,  不揮発性メモリ ,  半導体 ,  誘電材料 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス

分類 (1件)： 電子物性一般  (BM01000S)

引用文献 (24件)：

• M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
• T. Zhai, X. Fang, M. Liao, X. Xu, H. Zeng, Y. Bando, and D. Golberg, Sensors 9, 6504 (2009).
• M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys. 97, 01101 (2005).
• M. Sakurai, Y. G. Wang, T. Uemura, and M. Aono, Nanotechnology 20, 155203 (2009).
• Y. Hu, Y. Chang, P. Fei, R. L. Snyder, and Z. L. Wang, ACS Nano 4, 1234 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪み ,  SnO2 ,  電気抵抗 ,  不揮発性 ,  変調