サファイア基板上に製膜した(Ba,Sr)TiO<sub>3</sub>薄膜におけるマイクロ波コンデンサ及び可変導波路としての評価

NISHIDA Takashi; ONODERA Ryo

文献

J-GLOBAL ID：201402235897012102 整理番号：14A0927529

サファイア基板上に製膜した(Ba,Sr)TiO₃薄膜におけるマイクロ波コンデンサ及び可変導波路としての評価

Evaluation of Microwave Capacitors and Tunable Waveguides on (Ba,Sr)TiO₃ Films Deposited on Sapphire Substrates

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資料名：
巻： 39 号： 2 ページ： 203-206 発行年： 2014年06月
JST資料番号： L4468A ISSN： 1382-3469 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

次世代情報通信機器は複数の通信プロトコルと周波数に適応することを求められるために,可変型マイクロ波デバイスについての検討が広く行われている。チタン酸ストロンチウムバリウム(Ba,Sr)TiO₃(BST)薄膜は,マイクロ波周波数域におけるその非線形誘電特性のために,その様なデバイスへの応用が期待されている。BST薄膜がサファイア,MgO及びガラス等の種々の基板上に製膜され,BSTを用いて作製した薄膜コンデンサの特性について調べられて来た。櫛型電極(IDE)を持つ面内型BSTコンデンサとコプレーナ導波路(CPW)デバイスの電気特性の評価は重要であるが,これまでは詳細な解析や報告がほとんどなかった。著者らは,サファイア上のBST薄膜上に種々のサイズのIDE及びCPW電極を調製した。容量とフィルタ特性のサイズ及び電圧依存性を測定した。本研究では,rfマグネトロンスパッタリングによりサファイア基板上にBSTエピタキシャル薄膜を製膜した。より高い可変性を得るために,電子線(EB)リソグラフィーにより1μm以下の微細パターンのIDE電極を作製した。このIDEの容量の電圧依存性を測定した。可変性は電極間隔の減少と共に増加することを見出した。100nmのIDEで13.6%の最大可変性を得た。EBリソグラフィーによりBST(BST CPW)上に長さ6mm,幅0.14mmのCPW共振器も調製した。マイクロ波シミュレータによりBST CPWの共振周波数が6.9GHzとなると計算し,それは測定結果の7.47GHzと一致した。バイアス電圧(50V)で1.1%の周波数シフトを計測し,BST/サファイア構造でCPW型マイクロ波可変フィルタを得ることに成功したことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 光導波路,光ファイバ,繊維光学 , LCR部品

引用文献 (14件)：

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