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J-GLOBAL ID：201402235923346839   整理番号：14A0173047

グラフェンナノリボン電界効果トランジスタのpH応答へのエッジ効果

Edge Effects on the pH Response of Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors

著者 (5件)： TAN Xuebin (Wayne State Univ., Michigan, USA) ,  CHUANG Hsun-Jen (Wayne State Univ., Michigan, USA) ,  LIN Ming-Wei (Wayne State Univ., Michigan, USA) ,  ZHOU Zhixian (Wayne State Univ., Michigan, USA) ,  CHENG Mark Ming-Cheng (Wayne State Univ., Michigan, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 51  ページ： 27155-27160  発行年： 2013年12月26日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電界効果トランジスタpHセンサは応答範囲が0~99mV/pHである。化学的に不活性の基底面とは異なり,エッジ部分は活性で比較的容易に機能化が可能で,グラフェンナノリボン(GNR)はN₂種によりエッジ部分にn型ドーピングされ,これは表面への吸着物により導入される効果の3桁以上を示す。著者らはグラフェンpHセンサーのpH応答性についてのエッジ効果と欠陥を,相関ラマン分光によるpH誘発のゲート電圧への電界トランジスタの伝導特性,そして付加したOH基密度増加を果たすGNRの配列の2Dグラフェンシートへのパターニングの二点から検討した。PMMAスピンコート,電子ビームリソグラフィーパターン形成,酸素プラズマエッチングでGNRアレイFETを作成して特性化した。この結果,エッジ長が0.04から20μm^-1に増加すると,4.2から24.6mv/pHへpH応答性が増加することを確認した。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *縁効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *pHセンサ ,  pH依存性 ,  窒素 ,  ドーピング ,  電圧 ,  炭素材 ,  パターン形成 ,  Ramanスペクトル ,  電子ビームリソグラフィー ,  プラズマエッチング ,  グラフェン
準シソーラス用語： グラフェンシート ,  *グラフェンナノリボン ,  ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェンナノリボン ,  電界効果トランジスタ ,  pH ,  応答 ,  エッジ効果