文献
J-GLOBAL ID：201402240068202518
整理番号：14A0850303
ボディダイオードのターンオフ動作により誘導した電力MOSFETの自己ターンオン現象の研究
A study on the self turn-on phenomenon of power MOSFET induced by the turn-off operation of body diodes
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著者 (1件)：
資料名：
巻：
11
号：
13
ページ：
20140350-20140350 (J-STAGE)
発行年：
2014年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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一般的に,SiC電力デバイスは高速スイッチングにより動作する。電力変換回路における高速スイッチング動作では,電力MOSFETの自己ターンオン現象に悩まされている。この現象では,ブリッジ回路の他側でのMOSFETのターンオン動作によりゲート電圧に変動が生じる。この変動ゲート電圧が閾値ゲート電圧を越えると,この自己ターンオンにより大きな電力損失が生じる。本文では,そのボディダイオードのターンオフ動作に関連した電力MOSFETの自己ターンオン現象を解析的に検討する。この現象はブリッジの他側でのMOSFETのターンオン動作で起きる。この解析を実験的に評価した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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