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J-GLOBAL ID：201402240688083551   整理番号：14A0426435

酸素導入Arスパッタリングにより堆積したAlドープCeO₂薄膜の電気的性質

ELECTRICAL PROPERTIES OF Al DOPED CeO₂ THIN FILMS DEPOSITED BY O₂ INTRODUCED Ar SPUTTERING

著者 (8件)： NOTANI Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OKAZAKI T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HARA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OSAWA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HIBINO K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI S. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 32  ページ： 52-57  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Alドープ二酸化セリウムをp型Si(100)ウェハー上に無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングにより堆積させた。堆積はAl板を張り付けたCeO₂ターゲットを用いてAr+O₂雰囲気中で室温において行った。酸素の流速比は2,5と10%であった。ポストアニーリングを窒素雰囲気中,200~600°Cで行った。アニーリング後の電気的性質を電流電圧および容量電圧測定により評価した。3MV/cmでの漏れ電流は,2%と5%の酸素導入で堆積し200°Cでアニールした試料の1.0×10^-7A/cm²以下が最小であった。誘電定数は導入した酸素量の増加ととに増大した。漏れ電流と誘電定数はアニーリング温度にはほとんど無関係であったが,400°Cでのアニーリング後には漏れ電流は3桁増大し,誘電定数は異常に減少した。透過型電子顕微鏡観察から,この温度では相転移が起こることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *漏れ電流 ,  *誘電率 ,  相転移 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  酸化物 ,  薄膜 ,  酸化セリウム ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  焼なまし ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  誘電定数 ,  *二酸化セリウム ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸素 ,  Ar ,  スパッタリング ,  堆積 ,  Al ,  ドープ ,  薄膜 ,  電気的性質