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J-GLOBAL ID：201402242913715123   整理番号：14A0823138

RFマグネトロンスパッタリングにより作製したScドープTiO₂薄膜の電気伝導率

Electrical conductivity of Sc-doped TiO₂ thin film prepared by RF magnetron sputtering

著者 (6件)： INOUE Tomohiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Teppei (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SHIMAZU Yuichi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SAKAI Enju (KEK, Ibaraki, JPN) ,  KUMIGASHIRA Hiroshi (KEK, Ibaraki, JPN) ,  HIGUCHI Tohru (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 6S  ページ： 06JG03.1-06JG03.4  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリングにより作製したSc³⁺ドープTiO₂(Ti_0.99Sc_0.01O_2-δ薄膜の構造的及び電気的特性を報告した。200°C以上の温度で作製した薄膜は,ルチル(200)ピークを示したが,100°Cで作製した薄膜は,アナターゼ(112)ピークを示した。a軸の格子定数は,酸素空格子点により基板温度と共に減少した。ScドープTiO₂薄膜の電気伝導率は,熱活性化型挙動及び酸素分圧依存性を示した。500及び600°Cにおける伝導キャリアは,それぞれ,混合正孔及び電子イオン伝導と考えられた。伝導率は,Sc置換により生成したバンドギャップエネルギー領域における広い状態密度(DOS)に密接に関係していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *スカンジウム ,  *ドーピング ,  薄膜成長 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ルチル ,  アナターゼ ,  *温度依存性 ,  *格子定数 ,  *電気伝導率 ,  活性化 ,  熱影響 ,  *分圧 ,  圧力効果 ,  *イオン伝導 ,  エネルギー ,  状態密度
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  熱活性化 ,  *酸素分圧 ,  圧力依存性 ,  バンドギャップエネルギー

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (29件)：

• A. Fujishima and K. Honda, Nature 238, 37 (1972).
• A. Fujishima and K. Honda, Bull. Chem. Soc. Jpn. 44, 1148 (1971).
• K. Hashimoto, H. Irie, and A. Fujishima, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 8269 (2005).
• T. Kawai and T. Sakata, Nature 286, 474 (1980).
• R. Wang, K. Hashimoto, A. Fujishima, M. Chikuni, E. Kojima, A. Kitamura, M. Shimohigoshi, and T. Watanabe, Nature 388, 431 (1997).

タイトルに関連する用語 (7件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  Sc ,  ドープ ,  TiO2 ,  薄膜 ,  電気伝導率