INOUE Tomohiro について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
OKUMURA Teppei について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
SHIMAZU Yuichi について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
SAKAI Enju について
KEK, Ibaraki, JPN について
KUMIGASHIRA Hiroshi について
KEK, Ibaraki, JPN について
HIGUCHI Tohru について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
酸化チタン について
スカンジウム について
ドーピング について
薄膜成長 について
スパッタ蒸着 について
マグネトロンスパッタリング について
ルチル について
アナターゼ について
温度依存性 について
格子定数 について
電気伝導率 について
活性化 について
熱影響 について
分圧 について
圧力効果 について
イオン伝導 について
エネルギー について
状態密度 について
RFマグネトロンスパッタリング について
熱活性化 について
酸素分圧 について
圧力依存性 について
バンドギャップエネルギー について
酸化物薄膜 について
無機化合物の結晶構造一般 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
半導体結晶の電子構造 について
RFマグネトロンスパッタリング について
作製 について
Sc について
ドープ について
TiO2 について
薄膜 について
電気伝導率 について