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J-GLOBAL ID：201402243022281862   整理番号：14A0777808

陽子ビーム描画用のレジスト材料 展望

Resist materials for proton beam writing: A review

著者 (3件)： VAN KAN J.a. (Centre for Ion Beam Applications, Physics Dep., 2 Sci. Drive 3, National Univ. of Singapore, 117542 Singapore, SGP) ,  MALAR P. (Res. Inst., SRM Univ., Kattankulathur, Chennai 603203, IND) ,  WANG Y.h. (Centre for Ion Beam Applications, Physics Dep., 2 Sci. Drive 3, National Univ. of Singapore, 117542 Singapore, SGP)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 310  ページ： 100-111  発行年： 2014年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽子ビーム描画(PBW)は,最初シンガポールにおいて,続いて世界中の幾つかのグループにより,1990年代中頃から開発されてきたリソグラフィー法である。MeV陽子は材料を貫通しながら実際上真っ直ぐの径路を保持する。材料中の陽子の継続した減速中に,陽子は基板電子と主に相互作用して少量のエネルギーを各電子に移転する。誘導二次電子は陽子飛跡周辺の数ナノメートル以内でレジストの分子構造を改変する。HSQにおける高アスペクト比サブ20nmリソグラフィーの最近の実証は,PBWの可能性を示した。PBWの完全な能力を探索するためには,高速陽子と異なるレジスト材料との相互作用の理解が重要である。ここでは,PBW用に評価された成長する数のレジスト材料の更新を与えた。特に,PMMA,HSQ,SU-8,AR-Pのような最も有望なレジスト材料に対する露出及び現像戦略を評価し,コントラスト及び感度などの性質に関してそれらの特性を比較した。更新された文献の概観の他に,AR-P及びPMGIレジストに関する新しい知見を示した。PWBは直接描画法なので,マイクロ及びナノ構造を複製する高速な方法を探すことが重要である。この点から,ナノインプリント技術における鋳型作製のためのNi電気めっきに対する幾つかのレジストの適切性と性能を議論した。感度,コントラスト,アスペクト比及び電気めっきに対する適切性などの陽子レジスト特性の概要によって要約を行った。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *陽子ビーム ,  *リソグラフィー ,  MeV領域 ,  相互作用 ,  エネルギー移動 ,  二次電子放出 ,  *レジスト ,  材料 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  *ニッケルめっき ,  型 ,  *パターン形成 ,  押付成形 ,  有機ケイ素化合物 ,  アクリル樹脂 ,  高分解能
準シソーラス用語： *陽子ビーム描画 ,  電子-陽子相互作用 ,  レジスト材料 ,  成形型 ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  水素シラセスキオキサン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の粒子との相互作用  (BK16090V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 陽子ビーム描画 ,  レジスト材料 ,  展望