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J-GLOBAL ID：201402249690722720   整理番号：14A1390422

有機金属気相成長によって成長したInGaN中へのIn混合に及ぼすサファイア窒化とIII族源流量比の影響

Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (11件)： CHOI J.H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHOI J.H. (JST-CREST, JPN) ,  SHOJIKI K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA T. (JST-CREST, JPN) ,  HANADA T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA T. (JST-CREST, JPN) ,  KATAYAMA R. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAYAMA R. (JST-CREST, JPN) ,  MATSUOKA T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA T. (JST-CREST, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 14  号： 8  ページ： 6112-6115  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN合金系は光電子デバイスにおける広範な応用から10年以上にわたって広く使用されてきた。高出力の青色発光ダイオードが商業的に利用可能である。現在,多くの研究者がN極性GaNとその素子を研究しているが,MOVPEシステムを用いて成長したN極性InGaN膜に関する研究は少ない。本論では,N極性と混合極性InGaN膜のIn混合と表面形態に及ぼすIII族流量比の影響を研究した。低いIII族流量比で成長したN極性InGaNでは,InGaN中に混合したInが促進された。0.9を超える高いIII族流量比では,混合極性InGaN膜が,歪緩和と粗い表面形態により,N極性InGaN膜より高いIn組成を示した。

シソーラス用語： MOCVD ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *インジウム ,  混合 ,  サファイア ,  *窒化 ,  比率 ,  固体素子 ,  出力 ,  発光ダイオード ,  極性 ,  窒化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  緩和現象 ,  化学組成 ,  高出力 ,  青色発光ダイオード ,  表面形態 ,  流量比 ,  *窒化インジウムガリウム ,  鉱石 ,  宝石 ,  *改変 ,  構造
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  有機金属気相成長法 ,  歪緩和 ,  *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  表面硬化熱処理  (WC03030E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属 ,  気相成長 ,  成長 ,  InGaN ,  サファイア ,  窒化 ,  III族 ,  流量比