SOLOVAN M M について
Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR について
BRUS V V について
Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR について
MARYANCHUK P D について
Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR について
ILASHCHUK M I について
Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR について
RAPPICH J について
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU について
NICKEL N について
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU について
ABASHIN S L について
National Aerospace Univ. ’Kharkiv Aviation Inst.’, Kharkiv, UKR について
Semiconductor Science and Technology について
ヘテロ接合 について
チタン化合物 について
窒化物 について
テルル化カドミウム について
Bridgman法 について
結晶成長 について
導電性 について
キャリア密度 について
観察 について
Raman分光法 について
バンド構造 について
電流電圧特性 について
電気抵抗 について
容量電圧特性 について
光電子 について
等価回路 について
モデル について
量子効率 について
温度依存性 について
N型半導体 について
P型半導体 について
キャラクタリゼーション について
Raman分光 について
アンアイソタイプ について
形態観察 について
窒化チタン について
電荷輸送 について
等価回路モデル について
半導体ヘテロ接合 について
微分抵抗 について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
アイソタイプヘテロ接合 について
TiN について
CdTe について
製作 について
キャラクタリゼーション について