ICHIKAWA S. について
Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN について
IWATA Y. について
Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN について
FUNATO M. について
Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN について
NAGATA S. について
JFE Mineral Co. Ltd., Chiba 260-0826, JPN について
KAWAKAMI Y. について
Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN について
Applied Physics Letters について
電子遷移 について
遷移確率 について
極性 について
結晶方位 について
アルミニウム化合物 について
ガリウム化合物 について
窒化物 について
窒化ガリウム について
化合物半導体 について
ヘテロ接合 について
量子井戸 について
物理蒸着 について
光ルミネセンス について
スペクトル について
電場 について
紫外発光スペクトル について
再結合 について
キャリア寿命 について
光学遷移 について
時間分解スペクトル について
時間分解光ルミネセンス について
窒化ガリウムアルミニウム について
内部電場 について
半極性 について
放射再結合 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
半導体のルミネセンス について
光学 について
遷移確率 について
強化 について
高品質 について
半極性 について
AlGaN について
AlN について
量子井戸 について