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J-GLOBAL ID：201402264911512008   整理番号：14A0888207

微小重力環境下での溶液移動帯域法によるSiGe結晶育成の数値シミュレーション

Numerical simulations of SiGe crystal growth by the traveling liquidus-zone method in a microgravity environment

著者 (8件)： ABE K. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  SUMIOKA S. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  SUGIOKA K.-i. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  KUBO M. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  TSUKADA T. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  KINOSHITA K. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  ARAI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  INATOMI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 402  ページ： 71-77  発行年： 2014年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,国際宇宙ステーション(ISS)の微小重力条件下で,Si_1-xGe_x(約x=0.5)結晶を溶液移動帯域法(TLZ)法によって育成した。本研究では,TLZ結晶育成の数学的モデルを開発して,ISSで行ったSiGe結晶のTLZ結晶育成時に発生した輸送と凝固の現象を詳細に調査した。本モデルを用いて,育成したSiGe結晶中のGe濃度の実験的分布を説明した。そして,結晶育成時の酸化による金属カートリッジ表面の放射率の変化が,育成中のGe濃度分布に強く影響を及ぼすことが明らかになった。さらに,現在の実験で得られた結晶よりも均質なSiGe結晶を育成させる戦略を数値結果に基づいて提案した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *環境 ,  *溶液成長 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体 ,  単結晶 ,  *数学モデル ,  濃度分布 ,  均一性 ,  宇宙ステーション
準シソーラス用語： *微小重力環境 ,  溶液移動帯域法 ,  国際宇宙ステーション

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微小重力環境 ,  溶液 ,  帯域 ,  SiGe ,  結晶育成 ,  数値シミュレーション