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J-GLOBAL ID：201402265703079526   整理番号：14A0998758

ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池 III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池

III-V Semiconductor Nanowire Solar Cells

著者 (5件)： 福井孝志 (北大) ,  吉村正利 (北大) ,  中井栄治 (北大) ,  冨岡克広 (北大) ,  冨岡克広 (JST-さきがけ)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 41  号： 2  ページ： 81-86  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： コストと材料消費量の低減化を最終目的として,III-V族ナノワイヤ(NWs)系太陽電池の光学的特性と素子性能をプレーナー型太陽電池と対比して議論した。さらに,本目的に向けて,NWs系太陽電池の研究動向を紹介し,今後の方向性について議論した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  配列 ,  MOCVD ,  *エネルギー変換効率 ,  半導体薄膜 ,  構造 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *III-VI族半導体 ,  研究動向 ,  多接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (27件)：

• J. Wallentin et al: Science, 339 (2013) 1057
• J. Kupec et al: Optics Express, 18 (2010) 4651
• K. Tomioka et al: Nature, 488 (2012) 189
• K. Tomioka et al: Applied Physics Letters, 98 (2011) 083114
• K. Tomioka et al: Nano Letters, 10 (2010) 1639

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  太陽電池 ,  III-V族化合物半導体 ,  ナノワイヤ