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J-GLOBAL ID：201402266051412690   整理番号：14A0297196

実際的応用におけるEビームGIDC分解能増大技術

E-beam GIDC resolution enhancement technology in practical applications

著者 (6件)： MARTENS S. (Inst. Mikroelektronik Stuttgart, DEU) ,  BUTSCHKE J. (Inst. Mikroelektronik Stuttgart, DEU) ,  GALLER R. (EQUIcon Software GmbH Jena, DEU) ,  KRUEGER M. (EQUIcon Software GmbH Jena, DEU) ,  SAILER H. (Inst. Mikroelektronik Stuttgart, DEU) ,  SUELZLE M. (Inst. Mikroelektronik Stuttgart, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8880  ページ： 88802H.1-88802H.8  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,製造パターンと並んで1D試験パターンについての標準的,SIZE(アンダーサイズ-過剰ドーズ),およびGIDC(形状誘起ドーズ補正)補正法の比較を行った。幅広く比較するために,パターンはウエハおよびマスク基板上にネガティブおよびポジティブの化学増幅レジストおよびVistec SB353HR可変形状e-ビーム描画装置を用いて印刷した。また,両ウエハにはエッチングを施した。その結果,SIZEおよびGIDC法の方が標準的近接効果補正より多くは優れていた。密集パターンについては,GIDCの方が優れたパターン品質とプロセスウインドウを与える一方,SIZE法は堆積電子ドーズの増大に悩まされ,明らかにプロセスウインドウについてはGDICに後れを取った。さらに,GIDCによる内部領域のドーズ低減はエッチ抵抗に影響しないことを示した。

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *照射線量 ,  *補正 ,  *分解能 ,  レジスト ,  ウエハ【IC】 ,  マスク ,  印刷 ,  エッチング ,  許容範囲 ,  電子照射 ,  走査電子顕微鏡 ,  テストパターン ,  表面粗さ ,  化学的加工 ,  抵抗 ,  製造 ,  実用化
準シソーラス用語： CD-SEM【顕微鏡】 ,  ネガティブレジスト ,  プロセスウィンドウ ,  ポジティブレジスト ,  マスクパターン ,  近接効果補正 ,  線幅粗さ ,  *電子ビーム描画 ,  腐食加工

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 実際的応用 ,  ビーム ,  分解能