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J-GLOBAL ID：201402273713615020   整理番号：14A1031516

ファイバレーザ励起用高出力半導体レーザモジュール

High Power Laser Diode Module for Fiber Laser Pumping

著者 (5件)： 坂元明 (フジクラ) ,  小川弘晋 (フジクラ) ,  阪本真一 (フジクラ) ,  山形友二 (オプトエナジー) ,  山田由美 (オプトエナジー)
資料名： フジクラ技報  (Fujikura Technical Journal)
号： 126  ページ： 11-16  発行年： 2014年07月31日 
JST資料番号： F0077A  ISSN： 0912-2761  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ファイバレーザ発振器を励起するために用いられる高出力半導体レーザモジュールは,ファイバレーザ出力の源であり,ファイバレーザの特性を左右する重要な部品である。当社では,オプトエナジー社の高出力半導体レーザ素子を用い,情報通信分野で培ってきた光部品アッセンブル技術と組み合わせることで,世界最高レベルの高出力かつ高信頼の半導体レーザモジュールを実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ファイバレーザ ,  *レーザ励起 ,  高出力レーザ ,  *半導体レーザ ,  モジュール ,  発振器 ,  部品 ,  信頼性 ,  光学部品
準シソーラス用語： 光部品 ,  高信頼性

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (13件)：

• M.R. Gokhale, et. al.: "High-Power High-Efficiency 0.98-um Wavelength InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP Broadened wave-guide Lasers Grown by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy", IEEE Journal of Quantum Electronics, 33 pp. 2266-2276, 1997.
• S. O' Brien, et. al.: "9.3W CW (In) AlGaAs 100μm wide lasers at 970 nm", Electron.Lett., 33, pp. 1869-1870, 1997.
• A. Al-Muhanna, et. al. : "High-power (>10 W) continuous-wave operation from 100-mm-aperture 0.97-mm-emitting Al-free diode lasers", Appl. Phys. Lett., 73, pp. 1182-1184, 1998.
• X. He, et. al.: "10.9 W continuous-wave optical power from 100um aperture InGaAs/AlGaAs (915nm) laser diodes" Electron. Lett., 34, pp.2126-2127, 1998.
• J. K. Wade, et al. :"8.8W CW power from broadwaveguide Al-free active region (λ=805 nm) diode lasers" , Electron., Lett.,34, pp.1100-1101, 1998.

タイトルに関連する用語 (5件)： ファイバ ,  レーザ励起 ,  高出力 ,  半導体レーザ ,  モジュール