HU Xiaobo について
Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN について
SAKURAI Takeaki について
Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN について
YAMADA Akimasa について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について
ISHIZUKA Shogo について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について
NIKI Sigeru について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について
AKIMOTO Katsuhiro について
Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN について
Journal of Applied Physics について
インジウム化合物 について
ガリウム化合物 について
セレン化物 について
銅化合物 について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
MBE成長 について
深い準位 について
欠陥準位 について
静電容量 について
光照射 について
依存性 について
CIGS について
フォトキャパシタンス について
組成依存性 について
半導体の格子欠陥 について
不純物・欠陥の電子構造 について
太陽電池 について
定常状態 について
フォトキャパシタンス について
Cu について
Ge について
薄膜 について
深準位 について
欠陥 について
研究 について