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J-GLOBAL ID：201402279712860231   整理番号：14A0657063

インジウム・イオン注入中の膜-基板温度に対するインジウム注入SiO₂薄膜の触媒特性の依存性

Dependence of catalytic properties of indium implanted SiO₂ thin films on the film-substrate temperature during indium ion implantation

著者 (8件)： YOSHIMURA S. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IKUSE K. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIUCHI M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIUCHI M. (b National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Osaka, JPN) ,  NISHIMOTO Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YASUDA M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  BABA A. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HAMAGUCHI S. (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 315  ページ： 222-226  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： インジウム ,  イオン注入 ,  基板温度 ,  注入 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  触媒特性 ,  依存性