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J-GLOBAL ID：201402284850238170   整理番号：14A0143101

全金属性の電気ゲート付2H-TaSe₂薄膜スイッチと論理回路

All-metallic electrically gated 2H-TaSe₂ thin-film switches and logic circuits

著者 (11件)： RENTERIA J. (Nano-Device Lab., Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside ...) ,  SAMNAKAY R. (Materials Sci. and Engineering Program, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside, Riverside ...) ,  JIANG C. (Nano-Device Lab., Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside ...) ,  POPE T. R. (Dep. of Chemistry, Univ. of Georgia, Athens, Georgia 30602, USA) ,  GOLI P. (Materials Sci. and Engineering Program, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside, Riverside ...) ,  YAN Z. (Nano-Device Lab., Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside ...) ,  WICKRAMARATNE D. (Lab. for Terascale and Terahertz Electronics, Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of ...) ,  SALGUERO T. T. (Dep. of Chemistry, Univ. of Georgia, Athens, Georgia 30602, USA) ,  KHITUN A. G. (Nano-Device Lab., Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside ...) ,  LAKE R. K. (Lab. for Terascale and Terahertz Electronics, Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of ...) ,  BALANDIN A. A. (Nano-Device Lab., Dep. of Electrical Engineering, Bourns Coll. of Engineering, Univ. of California-Riverside ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 115  号： 3  ページ： 034305-034305-6  発行年： 2014年01月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *タンタル化合物 ,  *スイッチ ,  *論理回路 ,  *ゲート【半導体】 ,  半導体薄膜 ,  三端子回路 ,  化学輸送 ,  *電流電圧特性 ,  耐放射線性 ,  van der Waals力 ,  非線形性
準シソーラス用語： 化学蒸気輸送反応

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属性 ,  ゲート ,  TaSe2 ,  薄膜 ,  論理回路